Эпитаксиальное наращивание арсенида индия из газовой фазы.
Газотранспортные процессы, в основе которых лежат обратимые химические реакции, широко применяются для получения эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений А3В5. Основными достоинствами процесса получения эпитаксиальных слоев арсенида индия из газовой фазы в проточной системе являются:
простота конструктивного оформления процесса;
низкое пересыщение вещества над растущим кристаллом;
сравнительно невысокие температуры кристаллизации, возможность предотвращения загрязнения материалом контейнера;
возможность управления процессом роста изменением скорости потока и концентрации транспортирующего агента;
широкие возможности легирования слоев различными примесями;
возможность автоматизации процесса;
осуществление непрерывного процесса;
возможность получение многослойных структур и заданной морфологии.
Суммарные реакции, наиболее часто используемых для осаждения эпитаксиальных слоев арсенида индия и переноса компонентов, в общем виде мощно представить следующим образом:
4InГ3+As4+6H2«4InAs+12HГ;------(8)
3As+2InГ3+3/2H2«3AsГ+2In+3HГ,----------(9)
3AsГ+2In«2InAs+AsГ3;------(10)
In+As«InAs;------------(11)
2InAs+3Г2«InГ3+As2;------(12)
2InAs+H2O«In2O+As2+H2;------(13)
где Г - галоген. Арсенид индия в виде эпитаксиальных слоев получают методами транспортных реакций либо синтезом из элементов, либо пересублимацией соединения. Для переноса чаще всего используют галоиды (трихлориды элементов III и V групп, хлористый водород) и воду. Галоидные системы (хлоридные, йодидные) имеют преимущества перед системой H2O-H, поскольку хлор и йод являются нейтральными примесями для арсенида индия.
Смотрите также
Строительно-монтажная схема здания
цеха и компоновка оборудования
Исходные данные:
1.
Географическое положение и климат:
проектируемая стадия
концентрирования серной кислоты расположена на промышленной площадке завода им.
В.И. ...