Алкены
Прогнозирование алкенов состоит в вычислении аддитивной составляющей энтальпии образования и введении поправок:
· на цис-взаимодействия заместителей (табл. 1.2, подраздел “Поправки цис-, орто/пара взаимодействия
”), если таковые имеются в молекуле;
· на гош-взаимодействие для насыщенной части молекулы; расчет производится аналогично рассмотренному выше подходу;
· на гош-взаимодействие алкенильного фрагмента с рядом расположенными группами (табл. 1.2, подраздел “Поправки на гош- и 1,5-отталкивающие взаимодействия
”).
При расчете аддитивной составляющей алкенов для атомов углерода при двойной связи приняты символы: =С
H
2
,
=СН
–(С)и =С
–(2С)
. Эти атомы имеют за пределами двойной связи в первом окружении только два атома: водорода и (или) углерода.
Суммарное количество парциальных вкладов в свойство равно числу углеродных атомов в молекуле.
Например, для 2-пентена будем иметь: 1 группу C
H
3
–(=С)
, 2 группы =С
H
–(C)
, 1 группу C
H
2
–(C,=С)
и 1 группу C
H
3
–(C)
.
При расчете поправок на гош-взаимодействие для насыщенной части молекулы учитываются все неконцевые углерод-углеродные связи, начиная с связи. При рассмотрении связи величина поправки, равная 3,35 кДж/моль, применяется только для гош-взаимодействий типа “алкан-алкан”. Для гош-взаимодейстий типа “алкен-алкан” используется поправка, равная 2,09 кДж/моль (в табл. 1.2 она отнесена к категории “алкен-негалоген”).
Расчет иллюстрируется примерами, приведенными в табл. 1.5.
Таблица 1.5
Тип атома или группы |
Количество атомов или групп данного типа |
Парциальный вклад, кДж/моль |
Вклад в свойство, кДж/моль |
Бицикло[2.2.1]гепт-2-ен | |||
CH2 –(2C) |
3 |
-20,64 |
-61,92 |
C H –(3С) |
2 |
-7,95 |
-15,90 |
=СН –(С) |
2 |
35,96 |
71,92 |
Аддитивная составляющая свойства |
7 |
-5,90 | |
Поправки на напряжение циклов |
1 |
(67,48+132,27)/2 = 99,88 |
99,88 |
|
93,97 | ||
Бицикло[2.2.1]гепта-2,5-диен | |||
CH2 –(2C) |
1 |
-20,64 |
-20,64 |
C H –(3С) |
2 |
-7,95 |
-15,90 |
=СН –(С) |
4 |
35,96 |
143,84 |
Смотрите также
Сложные реакции
...
Кремний, полученный с использованием геттерирования расплава
В бездефектной технологии
изготовления ИС для уменьшения влияния термодефектов используются методы
пассивного геттерирования примесей в пластинах. К таким методам относятся
"внешнее г ...