Алкены

Страница 1

Прогнозирование алкенов состоит в вычислении аддитивной составляющей энтальпии образования и введении поправок:

· на цис-взаимодействия заместителей (табл. 1.2, подраздел “Поправки цис-, орто/пара взаимодействия

”), если таковые имеются в молекуле;

· на гош-взаимодействие для насыщенной части молекулы; расчет производится аналогично рассмотренному выше подходу;

· на гош-взаимодействие алкенильного фрагмента с рядом расположенными группами (табл. 1.2, подраздел “Поправки на гош- и 1,5-отталкивающие взаимодействия

”).

При расчете аддитивной составляющей алкенов для атомов углерода при двойной связи приняты символы: =С

H

2

,

=СН

(С)и =С

(2С)

. Эти атомы имеют за пределами двойной связи в первом окружении только два атома: водорода и (или) углерода.

Суммарное количество парциальных вкладов в свойство равно числу углеродных атомов в молекуле.

Например, для 2-пентена будем иметь: 1 группу C

H

3

(=С)

, 2 группы

H

(C)

, 1 группу C

H

2

(C,=С)

и 1 группу C

H

3

(C)

.

При расчете поправок на гош-взаимодействие для насыщенной части молекулы учитываются все неконцевые углерод-углеродные связи, начиная с связи. При рассмотрении связи величина поправки, равная 3,35 кДж/моль, применяется только для гош-взаимодействий типа “алкан-алкан”. Для гош-взаимодейстий типа “алкен-алкан” используется поправка, равная 2,09 кДж/моль (в табл. 1.2 она отнесена к категории “алкен-негалоген”).

Расчет иллюстрируется примерами, приведенными в табл. 1.5.

Таблица 1.5

Тип атома или

группы

Количество атомов или групп данного типа

Парциальный вклад, кДж/моль

Вклад в свойство,

кДж/моль

Бицикло[2.2.1]гепт-2-ен

CH2

(2C)

3

-20,64

-61,92

C

H

(3С)

2

-7,95

-15,90

=СН

(С)

2

35,96

71,92

Аддитивная составляющая свойства

7

-5,90

Поправки на напряжение циклов

1

(67,48+132,27)/2

= 99,88

99,88

93,97

Бицикло[2.2.1]гепта-2,5-диен

CH2

(2C)

1

-20,64

-20,64

C

H

(3С)

2

-7,95

-15,90

=СН

(С)

4

35,96

143,84

Страницы: 1 2

Смотрите также

Сложные реакции
...

Кремний, полученный с использованием геттерирования расплава
В бездефектной технологии изготовления ИС для уменьшения влияния термодефектов используются ме­тоды пассивного геттерирования примесей в пластинах. К таким методам относятся "внешнее г ...

Смолы природные и синтетические
...