Механические расчеты основных деталей и узлов вихревой колонны
1. Расчет толщины обечаек
Расчет производится в соответствии с ГОСТ 14249-80. Исполнительную толщину тонкостенной гладкой цилиндрической обечайки, нагруженной внутренним избыточным давлением рассчитываем по формуле:
Условие: , где
P – внутренне давление (0,1 Мпа)
- коэффициент прочности сварного шва продольном направлении,
=1
Ck – поправка на коррозию с учетом срока службы аппарата, Ck = 0,001
D – внутренний диаметр, D=1 м
- допустимое напряжение,
=2,2 Н/м2
S=м
- условие выполняется
Толщина обечайки по расчетам равна 0,025 м
2. Расчет толщины днища:
, где
=0,1 мПа внутреннее давление
- коэффициент прочности днищ, изготовленных из цельной заготовки
= 2,2мН/м2 - допустимое напряжение
С=0,001
R=1 м – радиус кривизны в вершине днища. Для элептических днищ R=D, где D – внутренний диаметр аппарата, D=1 м
м
Условие:
Условие выполняется. Толщина днища равна 0,025 м.
3. Расчет фланцевых соединений
Расчетное растягивающее условие в болтах
, где
Дп – средний диаметр уплотнения, м
- расчетная сила осевого сжатия уплотняемых поверхностях в рабочих условиях, необходимых для обеспечения герметичности,
=0,00563
-рабочее давление,
=0,1 Мпа
Дп=1070 мм,
Расчетная сила сжатия прокладки прямоугольного сечения определяется по формуле:
, где
в – эффективная ширина прокладки, м
;
к – коэффициент, учитывающий зависимость от материала и конструкции прокладки
к = 2,5 (материал – асбест)
в0 – действительная ширина прокладки, м
Диаметр болтовой окружности:
Дб=(1,1-1,2)Дв0,933=1,1*1,050,933=1,15 мм, где
Дв – внутренний диаметр фланца, равный наружному диаметру аппарата,м
Дв = 1050 мм = 1,05м
Расчет диаметра болтов
, где
Дт=1.098 м – наружный диаметр сварного шва на фланце
Смотрите также
Адсорбция полимеров на границе раздела твердое тело - водный раствор
Одним из важнейших разделов физической химии полимеров
и коллоидной .химии в настоящее время является физико-химия поверхностных явлений
в полимерах [1,2]. Это связано с тем, что создание н ...
Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Техническое
задание
на курсовую работу по
дисциплине
«Физико-химические основы
технологии микроэлектроники»
Студенту гр. 7033 Родину Н.Е.
1. Рассчитать
ра ...
Галлий и его соединения
ГАЛЛИЙ, (лат. Gallium) Ga
...