Травление.
На анодных участках происходит окисление кремния с последующим растворением оксида и образованием кремний-фтористоводородной кислоты, на катодных - восстановление окислителя (азотной кислоты). В процессе травления микроаноды и микрокатоды непрерывно меняются местами.
Результирующее уравнение реакции при этом имеет вид:
(4)
Следует отметить, что очистке поверхности полупроводниковых пластин путем их обработки в полирующих травителях предшествует обязательное обезжиривание поверхности.
Для ряда травителей энергия активации химической реакции 
на порядок и более превышает энергию активации, определяющую скорость диффузии реагента. В этом случае скорость травления определяется скоростью химической реакции 
:
(5)
где 
и 
- концентрации реагирующих веществ; R - универсальная газовая постоянная; а и b - показатели, численно равные коэффициентам в уравнении химической реакции.
Поскольку энергия активации химической реакции зависит от неоднородности поверхности, скорость травления чувствительна к состоянию поверхности. Так как различные кристаллографические плоскости структуры кремния имеют разное значение , то скорость травления зависит от ориентации пластин, а также от температуры.
* Травители, для которых контролирующей стадией является химическая реакция, называются селективными.
В качестве селективных травителей пластин кремния используют водные растворы щелочей (например, NaOH, КОН) и гидразин гидрат '
.
Для селективных травителей характерная разница скоростей травления в различных кристаллографических направлениях достигает одного порядка и более. Так, для щелочных травителей изменение скорости травления соответствует схеме (100) >(110)> (111).
Травление с большой разницей скоростей травления в различных кристаллографических направлениях называют анизотропным.
Селективное травление используют для локальной обработки полупроводниковых пластин, в том числе для создания изолирующих областей при изготовлении ИМС.
4.2.2.2. Электрохимическое травление основано на химических превращениях, которые происходят при электролизе.
Для этого полупроводниковую пластину (анод) и металлический электрод (катод) помещают в электролит, через который пропускают электрический ток. Процесс является окислительно-восстановительной реакцией, состоящей из анодного окисления (растворения) и катодного восстановления.
Кинетика анодного растворения определяется концентрацией дырок, генерируемых на поверхности полупроводниковой пластины.
Смотрите также
Структура и адгезионные свойства отверждённых эпоксидных смол
Введение
Целью
данной работы- изучить структуру и адгезионные свойства отверждённых эпоксидных
смол.
Эпоксидные
смолы обладают высокой адгезией к различным материалам и поэтому и ...
Анализ почвы
Почва –
особое природное образование, сформировавшееся в результате длительного
преобразования поверхностных слоев литосферы под совместным взаимообусловленным
взаимодействием гидросферы, а ...