Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Техническое задание
на курсовую работу по дисциплине
«Физико-химические основы технологии микроэлектроники»
Студенту гр. 7033 Родину Н.Е.
1. Рассчитать распределение примесей вдоль слитка полупроводникового материала при очистке зонной плавкой (один проход расплавленной зоной).
материал кремний
примеси - Ga,P и Sb
исходное содержание примесей (каждой) 0,02% (массовых)
Для трех скоростей перемещения зоны Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин.
2. Проанализировать бинарную диаграмму состояния Si -Ga и представить графически область существования твердых растворов примеси, найти предельную твердую растворимость примеси и температуру предельной растворимости.
Рассчитать и построить распределение указанной выше примеси (Ga) в полупроводнике после диффузионного отжига при различных условия диффузии:
· при условии бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии – 30 мин.
· при температуре 950 оС; время диффузии – 30 мин.
· после перераспределения примеси, накопленной в приповерхностном слое полупроводника при температуре 950 оС и времени диффузии – 30 мин . Условия перераспределения - полностью отражающая граница, температура 1150 оС, время 2 часа.
Смотрите также
Жидкофазное каталитическое окисление фенольных соединений
Непрерывный рост и развитие промышленного сектора
экономики приводит к постоянному увеличению загрязнения окружающей среды. Одну
из наиболее высоких экологических нагрузок испытывают на себе ...
Химия металлоорганических соединений
В
создании химии металлоорганических соединений, переживающих
период быстрого и всестороннего развития, принимали участие выдающиеся русские
и зарубежные исследователи: А. М. Бутлеров, А. М ...
Полимеры
...