Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Техническое задание
на курсовую работу по дисциплине
«Физико-химические основы технологии микроэлектроники»
Студенту гр. 7033 Родину Н.Е.
1. Рассчитать распределение примесей вдоль слитка полупроводникового материала при очистке зонной плавкой (один проход расплавленной зоной).
материал кремний
примеси - Ga,P и Sb
исходное содержание примесей (каждой) 0,02% (массовых)
Для трех скоростей перемещения зоны Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин.
2. Проанализировать бинарную диаграмму состояния Si -Ga и представить графически область существования твердых растворов примеси, найти предельную твердую растворимость примеси и температуру предельной растворимости.
Рассчитать и построить распределение указанной выше примеси (Ga) в полупроводнике после диффузионного отжига при различных условия диффузии:
· при условии бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии – 30 мин.
· при температуре 950 оС; время диффузии – 30 мин.
· после перераспределения примеси, накопленной в приповерхностном слое полупроводника при температуре 950 оС и времени диффузии – 30 мин . Условия перераспределения - полностью отражающая граница, температура 1150 оС, время 2 часа.
Смотрите также
Заключение
В заключение
курсового проекта можно сказать, что в процессе его создания были выполнены следующие
цели:
·
изложены основные концепции появления и ...
Источники возбуждения спектров
В практике
атомно-эмиссионного спектрального анализа в качестве источников возбуждения
спектров применяют пламя, электрические дуги постоянного и переменного тока,
низко- и высоковольтную конденсир ...
Барий. Свойства, получение, распространение
Тяжелый шпат, BaSO4 ,
был первым известным соединением барин. Его открыл в начале XVII в. итальянский
алхимик Касциароло. Он же установил, что этот минерал после сильного нагревания
с углем ...