Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании

Техническое задание

на курсовую работу по дисциплине

«Физико-химические основы технологии микроэлектроники»

Студенту гр. 7033 Родину Н.Е.

1. Рассчитать распределение примесей вдоль слитка полупроводникового материала при очистке зонной плавкой (один проход расплавленной зоной).

материал                            кремний

примеси -               Ga,P и Sb

исходное содержание примесей (каждой)            0,02% (массовых)

Для трех скоростей  перемещения зоны     Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин.

2. Проанализировать бинарную диаграмму состояния Si -Ga   и представить графически область существования твердых растворов примеси, найти предельную твердую растворимость примеси и температуру предельной растворимости.

 Рассчитать и построить распределение указанной выше примеси  (Ga) в полупроводнике  после диффузионного отжига при различных условия диффузии:

· при условии бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии – 30 мин.

· при температуре  950 оС; время диффузии – 30 мин.

· после перераспределения примеси, накопленной в приповерхностном слое полупроводника  при температуре  950 оС и времени диффузии – 30 мин . Условия перераспределения - полностью отражающая граница, температура 1150 оС, время 2 часа.

• Введение.
• Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель.
• Расчет распределения примеси вдоль слитка кремния после зонной плавки (один проход расплавленной зоной)
• Распределение примесей после диффузии.
• Распределение примеси при диффузии из полубесконечного пространства (диффузия из концентрационного порога)
• Распределение примеси при диффузии из постоянного источника в полубесконечное тело.
• Распределение примеси при диффузии из слоя конечной толщины  (диффузия из ограниченного источника) в полубесконечное тело с отражающей границей.
• Распределение примеси при диффузии из бесконечно тонкого слоя в полубесконечное тело с отражающей границей
• Расчет распределения примеси после диффузионного легирования.
• Заключение.