Подвижность в арсениде индия.
Подвижность носителей заряда в кристаллах арсенида индия ограничивается несколькими механизмами рассеивания:
рассеянием на оптических и акустических фононах;
на ионных примесях;
на нейтральных примесях:
на дефектах кристаллической решетки (дислокациях):
на носителях заряда.
В приближении времени релаксации t подвижность вычисляется по формуле
------
------(7)
где t - вычисляется для каждого механизма рассеивания отдельно.
В монокристаллических объемных образцах арсенида индия достигнуты следующие значения подвижности:
n-тип, m=30000 см2/Вс(300К),
р-тип, m=450 см2/Вс(300К).
Сростом концентрацией примесей подвижность падает.
Смотрите также
Валентность и степень окисления
В начале 19 века Дж. Дальтоном был
сформулирован закон кратных отношений, из которого следовало, что каждый атом
одного элемента может соединяться с одним, двумя, тремя и т.д. атомами другог ...