Подвижность в арсениде индия.
Подвижность носителей заряда в кристаллах арсенида индия ограничивается несколькими механизмами рассеивания:
рассеянием на оптических и акустических фононах;
на ионных примесях;
на нейтральных примесях:
на дефектах кристаллической решетки (дислокациях):
на носителях заряда.
В приближении времени релаксации t подвижность вычисляется по формуле
------
------(7)
где t - вычисляется для каждого механизма рассеивания отдельно.
В монокристаллических объемных образцах арсенида индия достигнуты следующие значения подвижности:
n-тип, m=30000 см2/Вс(300К),
р-тип, m=450 см2/Вс(300К).
Сростом концентрацией примесей подвижность падает.
Смотрите также
Влияние температуры на скорость химической реакции
...
Марганцево-цинковые элементы
...
Кубический нитрид бора
Группа полупроводниковых соединений
типа AIIIBV на основе бора - одна из
наименее изученных среди полупроводниковых соединений с алмазоподобной
структурой.
Однако эти соединения представ ...