Подвижность в арсениде индия.
Подвижность носителей заряда в кристаллах арсенида индия ограничивается несколькими механизмами рассеивания:
рассеянием на оптических и акустических фононах;
на ионных примесях;
на нейтральных примесях:
на дефектах кристаллической решетки (дислокациях):
на носителях заряда.
В приближении времени релаксации t подвижность вычисляется по формуле
------
------(7)
где t - вычисляется для каждого механизма рассеивания отдельно.
В монокристаллических объемных образцах арсенида индия достигнуты следующие значения подвижности:
n-тип, m=30000 см2/Вс(300К),
р-тип, m=450 см2/Вс(300К).
Сростом концентрацией примесей подвижность падает.
Смотрите также
Энтальпия образования индивидуальных веществ. Прогнозирование энтальпии образования методом Бенсона
Наилучшее решение
вопросов разработки процессов химической технологии и аппаратуры для их
проведения возможно лишь при наличии надежной информации по физико-химическим и
термодинамическим с ...
Полимеры: общий обзор класса
Полимеры - высокомолекулярные соединения, вещества с большой молекулярной
массой (от нескольких тысяч до нескольких миллионов), молекулы которых
(макромолекулы) состоят из большого числа пов ...